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NCE3080K产品概述:VDS=30V,ID=80ARDS(ON)<6.5m? @VGS=10VRDS(ON)<10m? @VGS=5V超低RDSON高密度电池设计完全特征雪崩电压和电流良好的散热包装高静电放电性能的特殊工艺技术
www.kiaic.com/article/detail/1648.html 2019-05-17
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智能水果杯 KIA50N03A 50A/30V参数:产品型号:KIA50N03工作方式:50A/30V漏源电压:30V栅源电压:±20A漏电流连续:50A脉冲漏极电流:200A耗散功率:60W热电阻:50℃/W漏源击穿电压:30V栅极阈值电压:1V输入电容:1300PF输出电容:270PF上升时间:6ns封装...
www.kiaic.com/article/detail/1647.html 2019-05-17
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电路设计应该注意的问题:模拟电路构建了电子行业的基础,至今为止,电子技术已经发展到如此高的水平。但如果我们观察各种电子电路的发展会发现:几乎所有的电子技术都离不开放大技术。即使是数字芯片内部,其基本单元都是互补型源极接地放大电路。下文将模拟电...
www.kiaic.com/article/detail/1646.html 2019-05-17
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MOS管 KNX4540A 6A/400V主要参数:产品型号:KNX4540A工作方式:6A/400V漏至源电压:400V门到源电压:±30V单脉冲雪崩能:200MJ操作和储存温度范围:-55℃至+150℃
www.kiaic.com/article/detail/1645.html 2019-05-16
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MOS管寄生参数的影响与驱动电路解析,在应用MOS管和设计MOS管驱动的时候,有很多寄生参数,其中最影响MOS管开关性能的是源边感抗。寄生的源边感抗主要有两种来源,第一个就 是晶圆DIE和封装之间的Bonding线的感抗,另外一个就是源边引脚到地的PCB走线的感抗(地...
www.kiaic.com/article/detail/1644.html 2019-05-16
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本文列出了500V 600V MOS管型号规格参数选型表及MOS管品牌供应商,KIA半导体是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计,集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。KIA半导体的产品涵盖工业、新能源、交通运输、绿色...
www.kiaic.com/article/detail/1643.html 2019-05-16
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KNX4820A/B 9.0A/200V,KNX4820沟道增强型硅栅功率MOSFET设计用于高压,高速电源切换应用,如高效开关电源、基于半桥拓扑的电子镇流器功率因数校正。封装有TO-251、TO-252、TO-220。MOS管4820产品特征:专有平面新技术、RDS(ON),typ.=250m Ω@VGS=10V、低栅极电...
www.kiaic.com/article/detail/1642.html 2019-05-15
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mos管840厂家介绍,深圳市可易亚半导体科技有限公司.是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计,集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。现已经拥有了独立的研发中心,研发人员以来自韩国(台湾)超一流团队,可以...
www.kiaic.com/article/detail/1641.html 2019-05-15
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MOS管 KIA6115A产品参数:型号:KIA6115A工作方式:12A/150V漏源电压:150V栅源电压:±20V漏电流连续:12A脉冲漏电流:50A总功耗:55W漏源击穿电压:150V输入电容:900pF输出电容:115pF反向转移电容:70pF
www.kiaic.com/article/detail/1639.html 2019-05-14
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长电mos管公司概述,长电科技成立于1972年, 2003年在上交所主板成功上市。历经四十余年发展,长电科技已成为全球知名的集成电路封装测试企业。长电科技面向全球提供封装设计、产品开发及认证,以及从芯片中测、封装到成品测试及出货的全套专业生产服务。长电科...
www.kiaic.com/article/detail/1638.html 2019-05-14
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什么叫mos管,mos管是金属(metal)、氧化物(oxide)、半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)、半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也...
www.kiaic.com/article/detail/1637.html 2019-05-14
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CMD5950参数:漏源电压:-100V栅源电压:20V连续漏电流:-35a脉冲漏极电流:-105a雪崩电流:- 35 A总功耗:50w储存温度范围:- 55至150工作结温度范围:150℃
www.kiaic.com/article/detail/1636.html 2019-05-13
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MOS管KNX2910A 130A/100V主要参数:型号:KNX2910A参数:130A/100V漏源电压:100V栅源电压:±25V雪崩能量单脉冲:552MJ漏源击穿电压:100V输入电容:6800pF输出电容:630pF反向转移电容:350pF
www.kiaic.com/article/detail/1635.html 2019-05-13
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河南,互联网体育,体育场馆运营管理成本,包括建设成本(租赁成本)、装修成本、器材成本、人员成本等。科技创新成果的运用是能够减少这些成本,提高运营效率和利润率。京东体育发布《2017互联网体育消费报告》,揭示中国体育消费未来五大趋势,预言中国体育消费...
www.kiaic.com/article/detail/1633.html 2019-05-10